Semi-conducteurs. Page 12 sur 485. Avtronic

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Triacs et diacs

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Affichage 21 articles: 2N3820 à 2N5415 (Page 12 sur 485)

Transistor 2N3820

1.74€ TTC

52 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -20V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3866

16.52€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N3866 55V 0.4A PQ>1W (400MHz). Vce maxi: 55 V. Courant de collecteur maxi: 0.4 A. Boîtier: TO-39. VHF/UHF-O. Fréquence maxi: 400 MHz. Puissance: 1 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3904

0.22€ TTC

651 En stock

Transistor bipolaire NPN 60V 0.1A. Référence d'origine constructeur: 2N3904AMMO. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vceo (IB=0): 40V. Vcbo: 60V. Courant de collecteur maxi: 100 mA. Puissance: 0.5W. Fréquence maxi: 250MHz. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 300.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3906

0.22€ TTC

3517 En stock

Transistor bipolaire PNP 40V 0.2A. Gain Hfe:100. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.2A. Puissance: 0.6W. Fréquence maxi: 200MHz.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4014

3.70€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N4014 80V 1A 0.36W 300MHz S. Vce maxi: 80 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. S. Constructeur: MOT. TO-18. Fréquence maxi: 300 MHz. Puissance: 0.36 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4033

2.86€ TTC

46 En stock

Transistor bipolaire PNP 80V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 0.8W. Boîtier: TO-5 (9x7mm).

Tarifs dégressifs

Transistor PNP 2N4033-ST

5.10€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP 80V 1A 0.8W fT:150-500MHz

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4036

7.95€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 90V. Courant collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-39. Puissance: 1W.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4393

17.14€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FET canal N (N-FET) 40V Idss>5mA Up<3V. Boîtier: TO-18. Vds(max): 40V. Id(@25ºC): 50mA. Puissance: 1.8W. Résistance Rds: 100 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4401

0.39€ TTC

585 En stock

Transistor NPN 2N4401 40/60V 0.6A 0.625W td:15nS.ts:225nS. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.6 A. Boîtier: TO-92. UNI. hFE:100. Constructeur: ONS. Tension collecteur/base maxi: 40 V. Puissance: 0.625 W

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4403

0.67€ TTC

1585 En stock

Transistor bipolaire PNP 40/60V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vcbo: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Gain Hfe:100.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4857A

5.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2N4857A N-FET 40V 50mA 360mW Idss: : 20mA 40R Up: 2V - 6V. J-FET. Constructeur: Siliconix. Boîtier: TO-18 (TO-206A). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 mA. Puissance: 360 mW

Tarifs dégressifs

Thyristor 2N5064

1.51€ TTC

52 En stock

Thyristor 200V. Courant maxi: 0.5A. 50Hz. Igt<0.2mA.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5087

1.12€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N5087 50V 0.1A 625W 40Hz NF:2.0dB. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. hFE: 250-900. Puissance: 625 W

Tarifs dégressifs

Transistor PNP 2N5087-CDIL

0.84€ TTC

361 En stock

Transistor PNP 50V 50mA 0.625W 40Hz NF:2.0dB

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5088

0.50€ TTC

6637 En stock

Transistor NPN 2N5088 30V 0.1A 625W 50Hz NF:3.0dB. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 400-900. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Puissance: 625 W

Quantité minimum: 2

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5109

18.48€ TTC

20 En stock

Transistor bipolaire NPN 40V 0.4A. Boîtier: TO-5. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.4A. Fréquence maxi: 1.5GHz. VHF/UHF

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5116

6.27€ TTC

182 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -30V . Courant de Drain maxi (25°C): -6mA

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5210

0.39€ TTC

256 En stock

Transistor NPN 2N5210 50V 0.1A 625W 30MHz Vebo: 4.5V. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 200-600. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 625 W

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5401

0.39€ TTC

2354 En stock

Transistor bipolaire PNP 160V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. 2N5401G.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5415

3.42€ TTC

62 En stock

Transistor bipolaire PNP 200V 1A. Boîtier: TO-39 (TO-205). Tension collecteur-émetteur maxi: 200V. Vceo (IB=0): 200V. Vcbo: 200V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 150.

Tarifs dégressifs

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Résistance 1 Ohm 5W KNP5WS-1R00-YAG

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Résistance 560k Ohms 0.6W MF-60-S-560K

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Semi-conducteurs

Accessoires de montage pour transistors

Circuits intégrés divers

Circuits logiques série 4000

Circuits logiques série 74

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Triacs et diacs

Transistor 2N3820

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -20V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Transistor 2N3866

Transistor NPN 2N3866 55V 0.4A PQ>1W (400MHz). Vce maxi: 55 V. Courant de collecteur maxi: 0.4 A. Boîtier: TO-39. VHF/UHF-O. Fréquence maxi: 400 MHz. Puissance: 1 W

Transistor 2N3904

Transistor bipolaire NPN 60V 0.1A. Référence d'origine constructeur: 2N3904AMMO. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vceo (IB=0): 40V. Vcbo: 60V. Courant de collecteur maxi: 100 mA. Puissance: 0.5W. Fréquence maxi: 250MHz. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 300.

Transistor 2N3906

Transistor bipolaire PNP 40V 0.2A. Gain Hfe:100. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.2A. Puissance: 0.6W. Fréquence maxi: 200MHz.

Transistor 2N4014

Transistor NPN 2N4014 80V 1A 0.36W 300MHz S. Vce maxi: 80 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. S. Constructeur: MOT. TO-18. Fréquence maxi: 300 MHz. Puissance: 0.36 W

Transistor 2N4033

Transistor bipolaire PNP 80V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 0.8W. Boîtier: TO-5 (9x7mm).

Transistor PNP 2N4033-ST

Transistor PNP 80V 1A 0.8W fT:150-500MHz

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Transistor 2N4393

Transistor FET canal N (N-FET) 40V Idss>5mA Up<3V. Boîtier: TO-18. Vds(max): 40V. Id(@25ºC): 50mA. Puissance: 1.8W. Résistance Rds: 100 Ohms.

Transistor 2N4401

Transistor NPN 2N4401 40/60V 0.6A 0.625W td:15nS.ts:225nS. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.6 A. Boîtier: TO-92. UNI. hFE:100. Constructeur: ONS. Tension collecteur/base maxi: 40 V. Puissance: 0.625 W

Transistor 2N4403

Transistor bipolaire PNP 40/60V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vcbo: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Gain Hfe:100.

Transistor 2N4857A

Transistor 2N4857A N-FET 40V 50mA 360mW Idss: : 20mA 40R Up: 2V - 6V. J-FET. Constructeur: Siliconix. Boîtier: TO-18 (TO-206A). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 mA. Puissance: 360 mW

Thyristor 2N5064

Thyristor 200V. Courant maxi: 0.5A. 50Hz. Igt<0.2mA.

Transistor 2N5087

Transistor NPN 2N5087 50V 0.1A 625W 40Hz NF:2.0dB. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. hFE: 250-900. Puissance: 625 W

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Transistor NPN 2N5088 30V 0.1A 625W 50Hz NF:3.0dB. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 400-900. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Puissance: 625 W

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Transistor bipolaire NPN 40V 0.4A. Boîtier: TO-5. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.4A. Fréquence maxi: 1.5GHz. VHF/UHF

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Transistor 2N5210

Transistor NPN 2N5210 50V 0.1A 625W 30MHz Vebo: 4.5V. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 200-600. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 625 W

Transistor 2N5401

Transistor bipolaire PNP 160V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. 2N5401G.

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Transistor bipolaire PNP 200V 1A. Boîtier: TO-39 (TO-205). Tension collecteur-émetteur maxi: 200V. Vceo (IB=0): 200V. Vcbo: 200V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 150.

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